FMUSER Original nou MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Furnizor

FMUSER Original nou MRF171A Tranzistor de putere RF Tranzistor MOSFET de putere Descriere Proiectat în principal pentru ieșiri de bandă largă cu semnal mare și trepte de driver de la 30-200 MHz. Caracteristici ● MOSFET cu modul de îmbunătățire a canalului N ● Stabilitate termică excelentă potrivită pentru funcționarea Cass A ● Performanță garantată la 150 MHz, 28 Vcc: Putere de ieșire = 45 W, ● Câștig de putere = 17 dB (min) „Eficiență = 60% (min) ● Date tipice pentru aplicații de amplificatoare de putere în echipamente industriale, ● comerciale și amatori: ● Performanță tipică la 30 MHz, 28 Vdc: Putere de ieșire = 30 W, Putere ● câștig = 20 dB (tip.) (PEP), randament = 50 % (tip.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

Detaliu

Anterior:FMUSER Original nou tranzistor MRF173 RF tranzistor de putere MOSFET tranzistor

Următor →:MRFE6VP5300N TRANSISTOR MOSFET PUTERE RF

Preț (USD)	Cantitate (PCS)	De transport maritim (USD)	Total (USD)	Metodă de livrare	Plată
56	1	0	56	poștă aeriană
				poștă aeriană

FMUSER Original Nou MRF171A MOSFET de putere cu tranzistor de putere RF Tranzistor

Descriere

Proiectat în principal pentru ieșire de semnal mare de bandă largă și driver etape de la 30–200 MHz.

DESCRIERE

●MOSFET Mod N-Channel Enhancement
●Stabilitate termică excelentă, potrivită pentru funcționarea Cass A.
●Performanță garantată la 150 MHz, 28 Vcc: Putere de ieșire = 45 W,
●Câștig de putere = 17 dB (min) „Eficiență = 60% (min)
●Date tipice pentru aplicații de amplificatoare de putere în industrie,

●Echipamente radio comerciale și amatori:

●Performanță tipică la 30 MHz, 28 Vcc: Putere de ieșire = 30 W, Putere

●câștig = 20 dB (tip.) (PEP), eficiență = 50% (tip.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (tipic)
●Metal Top Aur
●Crss scăzut - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% testat pentru nepotrivirea sarcinii la toate unghiurile de fază cu VSWR 30: 1
●Facilitează controlul manual al câștigului, ALC și tehnici de modulare