Adaugă la favorite set Homepage
Poziţie:Acasă >> Produse >> RF tranzistor

produse Categoria

produse Tag-uri

Fmuser Site-uri

FMUSER Original nou MRF6V2150NB SMD RF tranzistor tub de înaltă frecvență tub de amplificare a puterii modul de alimentare MOSFET tranzistor

FMUSER Original MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube Tube High Frequency Tube Amplification Power Module Power MOSFET Transistor FMUSER original MRF6V2150NB RF Power Transistor Power MOSFET Transistor conceput în principal pentru ieșiri de semnal larg de bandă largă și aplicații driver cu frecvențe de până la 450 MHz. Dispozitivele sunt de neegalat și sunt potrivite pentru utilizare în aplicații industriale, medicale și științifice Detalii produs: Număr de piesă: MRF6V2150NB Descriere: MOSFET lateral cu bandă largă cu un singur capăt N-canal, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Caracteristici: Performanță tipică CW la 220 MHz: VDD = 50 Volți, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watt Pow

Detaliu

Preț (USD) Cantitate (PCS) De transport maritim (USD) Total (USD) Metodă de livrare Plată
89 1 0 89 Par avion Transport

 



FMUSER Original Nou MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube High Frequency Tube Amplificator de putere Modul de alimentare MOSFET Transistor






FMUSER original nou MRF6V2150NB Tranzistor de putere RF Tranzistor MOSFET de putere dproiectat în principal pentru ieșiri de semnal mare de bandă largă și aplicații pentru drivercu frecvențe de până la 450 MHz. Dispozitivele sunt de neegalat și sunt potrivite pentruutilizare în aplicații industriale, medicale și științifice



Detalii produs:


PNumăr art: MRF6V2150NB

Descriere: MOSFET de putere RF cu bandă largă cu un singur capăt N-canal lateral, 10-450 MHz, 150 W, 50 V



Caracteristici:


Performanță tipică CW la 220 MHz: VDD = 50 volți, IDQ = 450 mA, Pout = 150 wați
Câștig de putere: 25.5 dB
Eficiență de scurgere: 69%
Capabil să trateze 10: 1 VSWR, @ 50 Vcc, 210 MHz, 150 wați Putere de ieșire
Integrat ESD de protecție
Excelent de stabilitate termică
Facilitează controlul manual al câștigului, ALC și tehnici de modulare
Pachet de plastic capabil de 225 ° C
RoHS



Parametri generali:


Tip tranzistor: LDMOS
Tehnologie: Si
Industria aplicațiilor: ISM, Broadcast
Aplicare: științifică, medicală
CW / Puls: CW
Frecvență: 10 până la 450 MHz
Putere: 51.76 dBm
Putere (W): 149.97 W
Putere CW: 150 W
Câștig de putere (Gp): 23.5 până la 26.5 dB
Pierdere de retur de intrare: -17 la -3 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaritate: canal N
Tensiunea de alimentare: 50 V
Tensiune prag: 1 până la 3 Vcc
Tensiune de avarie - sursă de scurgere: 110 V
Tensiune - sursă poartă (Vgs): - 0.5 până la 12 Vcc
Eficiență de scurgere: 0.683
Curent de scurgere: 450 mA
Impedanță Zs: 50 Ohmi
Rezistență termică: 0.24 ° C / W
Tipul pachetului: flanșă
Pachet: CASE 1484-04, STIL 1 LA - 272 WB - 4 PLASTIC
RoHS: Da
Temperatura de funcționare: 150 grade C

Temperatura de depozitare: -65 până la 150 de grade 



Pachetul include:
1x
MRF6V2150NB RF Transistor de putere



 

 

Preț (USD) Cantitate (PCS) De transport maritim (USD) Total (USD) Metodă de livrare Plată
89 1 0 89 Par avion Transport

 

Lăsaţi un mesaj 

Nume si Prenume *
E-mail *
Telefon
Adresă
Cod A se vedea codul de verificare? Faceți clic pe reîmprospătare!
Mesaj
 

Lista de mesaje

Comentarii Loading ...
Acasă| Despre noi| Produse| Noutăţi| Descarcă| Suport| Feedback| Contactați-ne| serviciu

Contact: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

WhatsApp / Wechat: + 86 183 1924 4009

Skype: tomleequan E-mail: [e-mail protejat] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Adresa în limba engleză: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Adresa în limba chineză: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兿305号惠兰(E)3