FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Power Transistor Power MOSFET Transistor N-Channel-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Furnizor

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Power Transistor Power MOSFET Transistor N-Channel Caracteristici: ● Număr piesă MRF173CQ ● Descriere FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● Descriere detaliată RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, Stil 2 ● Fișe tehnice MRF173CQ ● Informații de mediu Certificat RoHS ● Fișă tehnică HTML MRF173CQ Descriere: ● Ambalare: Tavă ● Stare piesă: Activ ● Tip tranzistor: Canal N ● Frecvență: 150MHz ● Câștig: 13dB ● Tensiune - Test: 28V ● Rating curent (Amperi) : 9A ● Figura de zgomot: 1.5dB ● Curent - Test: 50mA ● Putere - Ieșire: 80W ● Volta

Detaliu

Anterior:FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Putere LDMOS RF Tranzistor de putere

Următor →:FMUSER Original SRF3999 28V 50mA 150MHz 80W RF Tranzistor de putere

Preț (USD)	Cantitate (PCS)	De transport maritim (USD)	Total (USD)	Metodă de livrare	Plată
79	1	0	79	Par avion Transport
				Par avion Transport

FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Tranzistor de putere MOSFET Tranzistor N-Canal

Caracteristici:

● Număr parte MRF173CQ

● Descriere FET RF 65V 150MHZ 316-01
● Descriere detaliata RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, stil 2
● Specificații tehnice MRF173CQ

● Informații de mediu Certificat RoHS

● Foaie de date HTML MRF173CQ

Descriere:
● ambalaje : Tava
● Starea piesei: Activ
● Tip tranzistor: N-Channel
● Frecventa: 150MHz
● Câștig: 13dB
● Tensiune - Test: 28V
● Rating curent (amperi): 9A
● Figura de zgomot: 1.5dB
● Test curent: 50mA
● Putere - Ieșire: 80W
● Tensiune - Evaluat: 65V

Aplicații:

Proiectat pentru aplicații comerciale și militare în bandă largă până la 200 MHz frecvență. Performanța de mare putere, câștig ridicat și bandă largă a acestui dispozitiv face posibilă transmițătoarele în stare solidă pentru benzile de frecvență de emisie FM sau canal TV, modul de îmbunătățire a canalului N

parametri:
MOSFET pentru modul de îmbunătățire a canalului N
● Performanță garantată la 150 MHz, 28 V:
Putere de ieșire = 80 W
Câștig = 11 dB (tipic de 13 dB)
Eficiență = 55% Min. (60% tip.)
● Rezistență termică redusă
● Rezistență testată la puterea nominală de ieșire
● Matriță cu nitrură pasivată pentru îmbunătățire
● fiabilitate
● Zgomot redus - 1.5 dB tip. la 2.0 A, 150 MHz

● Stabilitate termică excelentă; potrivit pentru operația de clasă A.