FMUSER Original nou MGF2430A tranzistor de putere RF tranzistor MOSFET tranzistor-RF tranzistor-FMUSER difuzare FM / TV furnizor unic

FMUSER Original New MGF2430A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor DESCRIPTIE MGF2430A, GaAs FET cu schottkygate cu canal N, este proiectat pentru amplificatoare de bandă de la L la Ku. CARACTERISTICI ● Putere mare de ieșire P1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5GHz ● Câștig liniar mare GLP = 6.5dB (TYP.) @ F = 14.5GHz ● Eficiență ridicată de putere adăugată P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Pachet metalic închis ermetic APLICAȚIE ● Pentru amplificatoare de putere în bandă L la Ku CALITATE ● DESEN IGOUTLINE CONDIȚII BIAS RECOMANDATE ● Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500 ● Evaluări maxime absolute ● VGDO Poartă la tensiune sursă ● VGSO Poartă la tensiune sursă ● IDSS Satu

Detaliu

Anterior:1 PCS MRFE6VP5300N tranzistor RF original

Următor →:FMUSER Original nou tranzistor MRF173 RF tranzistor de putere MOSFET tranzistor

Preț (USD)	Cantitate (PCS)	De transport maritim (USD)	Total (USD)	Metodă de livrare	Plată
69	1	0	69	poștă aeriană
				poștă aeriană

FMUSER Original MOSFET de putere cu tranzistor de putere MGF2430A RF nou Tranzistor

DESCRIERE

MGF2430A, GaAs FET cu schottkygate cu canal N, este proiectat pentru amplificatoare de bandă L-Ku.

CARACTERISTICI

●Putere mare de ieșire P1dB = 30.5dBm (TYP) @ f = 14.5GHz

●Câștig liniar mare GPL = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

●Eficiență ridicată de putere adăugată P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5GHz, P1dB

●Pachet metalic închis ermetic APLICAȚIE

●Pentru amplificatoare de putere de bandă L la Ku CALITATE

●DESENUL IGOUTLINE

CONDIȚII BIAS RECOMANDATE

●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500
●Evaluări maxime absolute
●Poarta VGDO la tensiunea sursei
●VGSO Poarta la tensiunea sursei
●IDSS Curent de scurgere saturat
●IGR Curent de poartă inversă
●IGF Curent de poartă înainte
●PT * 1 Disipare totală a puterii
●Temperatura Tch Cannel

●Tstg Temperatura de depozitare * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)